- UMW
- 1.5V @ 250µA
- ±8V
- MOSFET (Metal Oxide)
- SOT-23
- UMW
- 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
- 1W (Ta)
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tape & Reel (TR)
- 150°C (TJ)
- Surface Mount
- 310 pF @ 10 V
- 3.5 nC @ 4.5 V
- P-Channel
- -
- 2.5V, 4.5V
- 20 V
- 1.7A (Ta)
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | FDN335N | FDN335N | FDN358P | FDN352AP |
| उत्पादक | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | - | - | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | - | - | - | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - | - | - | - |
| परिचालन तापमान | - | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | - | - | - | - |
| पैकेट | - | Bulk | Bulk | Bulk |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | - | - | - | - |
| FET प्रकार | - | - | - | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | - | - | - | - |
| शृंखला | - | * | * | * |
| पैकेज / प्रकरण | - | - | - | - |
| प्रौद्योगिकी | - | - | - | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | - | - | - | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | - | - | - | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | - | - | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - | - | - | - |
हम सख्ती से उत्पादों, पर्यावरण और सेवाओं की गुणवत्ता को नियंत्रित करते हैं। तीसरे पक्ष के आईएसओ प्रमाणीकरण के बारे में।
और देखोभुगतान विधि को नीचे दिखाए गए तरीकों से चुना जा सकता है: वायर ट्रांसफर (टी/टी, बैंक ट्रांसफर), वेस्टर्न यूनियन, क्रेडिट कार्ड, पेपैल।
यूके स्पेस एजेंसी स्कॉटिश स्पेस सेक्टर के लिए £ 10.9 मिलियन बूस्ट
हार्टिंग 3 डी सर्किट सेवा प्रदान करता है
Axiomtek से दृष्टि
PCIM: Infineon से 600V सिलिकॉन MOSFETS, और 200 मिमी वेफर्स से GAN
औद्योगिक रोबोट और मशीनरी के लिए 80TOP/S AI दृष्टि और वास्तविक समय नियंत्रण MCU
स्वचालित 3 डी सोल्डर पेस्ट निरीक्षण 9.8μm तक नीचे
डीएसी बाजारों में एआई और एमएल की भूमिका की पड़ताल करता है
